روشی برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک

• عنوان لاتین مقاله: Comprehensive Approach to Modeling and Simulation of Photovoltaic Arrays
• عنوان فارسی مقاله: روشی جامع برای مدل کردن و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک.
• دسته: برق و الکترونیک
• فرمت فایل ترجمه شده: فایل Word ورد 2007 یا 2003 (Docx یا Doc) قابل ویرایش
• تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 42
• جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
• ترجمه سلیس و روان مقاله آماده خرید است.

خلاصه

این مقاله یک روش مدل سازی و شبیه سازی آرایه های فتوولتاییک را اریه می دهد. هدف اصلی در اینجا، پیدا کردن پارامترهای معادلات غیرخطی I-V، با تنظیم منحنی در سه نقطه، می باشد: مدار-باز، ماکزیمم توان، اتصال کوتاه. با داشتن این سه نقطه که توسط همه دیتاشیت های آرایه های تجاری ارایه می شوند. مدل ارایه شده، بهترین معادلات I-V را برای مدل فتوولتاییک تک-دیود (PV)، شامل اثر مقاومت های سری و موازی، می یابد و تضمین می کند که ماکزیمم توان مدل با ماکزیمم توان آرایه واقعی، مطابق باشد. با داشتن پارامترهای معادلات تنظیم شده I-V، می توان یک مدل مداری PV را با یک شبیه ساز مداری با استفاده از بلوک های ساده ریاضی ساخت. روش مدل کردن و مدل مداری ارایه شده، برای طراحان الکترونیک قدرتی که به یک روش مدل سازی ساده، سریع، دقیق، و آسان برای بکاربری در شبیه سازی سیستم های PV نیاز دارند، سودمند می باشد. در صفحات نخست، خواننده با وسایل PV آشنا می شود و پارامترهایی را که مربوط به مدل PV تک-دیود می شوند را درمی یابد. سپس روش مدل سازی معرفی شده و به صورت دقیق ارایه می شود. این مدل برای اطلاعات تجربی آرایه های PV تجاری، معتبر می باشد.  

ادامه دارد (Full-text)