رشته: برق الکترونیک
A New Gate Driver Integrated Circuit for IGBT Devices With Advanced Protections
جهت دانلود رایگان مقاله انگلیسی اینجا را کلیک نمایید
چکیده
هدف از این مقاله بحث در مورد راه حل های جدید در طراحی گیت عایق ترانزیستور دوقطبی (IGBT) و درایور گیت با محافظت پیشرفته مانند دو سطح می باشد و به نوبه خود کاهش جریان پیک را هنگام روشن کردن دستگاه به همراه دارد، دو سطح به نوبه خود خاموش شده و برای محدود کردن بیش از حد ولتاژ هنگامی که دستگاه خاموش است، و میلر تابع گیره فعال در برابر پدیده های انتقال متقابل عمل می کنند. پس از آن، ما یک مدار جدید که شامل یک سطح با دو درایور خاموش و یک تابع گیره میلر می باشد خواهیم داشت. آزمایش و نتایج برای این عملکرد های پیشرفته مورد بحث، با تاکید خاص بر نفوذ در سطح متوسط در دو سطح خاموش درایور در حد خارج شدن در سراسر IGBT می باشد.
ادامه دارد (Full-text)
